IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CE
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Stato del prodotto: Last Time Buy
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 3.1A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base: IPD50R1