BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.3A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Vgs (Max): ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Grado: Automotive
Qualificazione: AEC-Q101
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT23
Confezione / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base: BSS806