BSP135H6433XTMA1 Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Last Time Buy
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 120mA (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Caratteristica FET: Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223
Confezione / Custodia: TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base: BSP135