ZXMN6A08GQTC Diodes Incorporated Singoli FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 3.8A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Grado: Automotive
Qualificazione: AEC-Q101
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223-3
Confezione / Custodia: TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base: ZXMN6