DMTH10H010SCT Diodes Incorporated Singoli FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 100A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 187W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3
Confezione / Custodia: TO-220-3
Numero di prodotto di base: DMTH10