ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated Singoli FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 1.7A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223-3
Confezione / Custodia: TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base: ZXMN10