DMT6009LCT Diodes Incorporated Singoli FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 37.2A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3
Confezione / Custodia: TO-220-3
Numero di prodotto di base: DMT6009