A3G26D055N-1805 NXP USA Inc. FET RF MOSFET

Produttore: NXP USA Inc.
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: GaN
Frequenza: 100MHz ~ 2.69GHz
Guadagno: 13.9dB
Tensione - Prova: 48 V
Corrente nominale (ampere): -
Figura di rumore: -
Corrente - Prova: 40 mA
Potenza - Uscita: 8W
Tensione - Nominale: 125 V
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-LDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PDFN (7x6.5)