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BLF6G10LS-135R,112 NXP USA Inc. FET RF MOSFET

BLF6G10LS-135R,112 NXP USA Inc. FET RF MOSFET

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Produttore: NXP USA Inc.
Serie: -
Pacchetto: Tray
Stato del prodotto: Obsolete
Tecnologia: LDMOS
Frequenza: 871.5MHz ~ 891.5MHz
Guadagno: 21dB
Tensione - Prova: 28 V
Corrente nominale (ampere): 32A
Figura di rumore: -
Corrente - Prova: 950 mA
Potenza - Uscita: 26.5W
Tensione - Nominale: 65 V
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Confezione / Custodia: SOT-502B
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT502B

Datasheet

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