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BLD6G22LS-50,112 NXP USA Inc. FET RF MOSFET

BLD6G22LS-50,112 NXP USA Inc. FET RF MOSFET

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Produttore: NXP USA Inc.
Serie: -
Pacchetto: Tray
Stato del prodotto: Obsolete
Tecnologia: LDMOS
Configurazione: Dual, Common Source
Frequenza: 2.14GHz
Guadagno: 14dB
Tensione - Prova: 28 V
Corrente nominale (ampere): 10.2A
Figura di rumore: -
Corrente - Prova: 170 mA
Potenza - Uscita: 8W
Tensione - Nominale: 65 V
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: SOT-1130B
Pacchetto dispositivo fornitore: CDFM4

Datasheet

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