DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated Array FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Confezione: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato della parte: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 14.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Potenza - Max: 1W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2030-6 (Type B)
Numero di prodotto di base: DMN2008