DMN2024UFU-13 Diodes Incorporated Array FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 647pF @ 10V
Potenza - Max: 810mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2030-6 (Type B)
Numero di prodotto di base: DMN2024