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CCB032M12FM3T Wolfspeed, Inc. Array FET MOSFET

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descrizione delle tue esigenze

Produttore: Wolfspeed, Inc.
Serie: -
Pacchetto: Box
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: Silicon Carbide (SiC)
Configurazione: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET: Silicon Carbide (SiC)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.6mOhm @ 30A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 3400pF @ 800V
Potenza - Max: -
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Confezione / Custodia: Module
Pacchetto dispositivo fornitore: Module
Numero di prodotto di base: CCB032

Datasheet

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