G1NP02LLE Goford Semiconductor Array FET MOSFET

Produttore: Goford Semiconductor
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Potenza - Max: 1.25W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: SOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-6L