G120P03S2 Goford Semiconductor Array FET MOSFET

Produttore: Goford Semiconductor
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Potenza - Max: 1.4W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Numero di prodotto di base: G120