DMT6015LPDW-13 Diodes Incorporated Array FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 9.4A (Ta), 17.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 808pF @ 30V
Potenza - Max: 2.4W (Ta), 7.9W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Numero di prodotto di base: DMT6015