G06NP06S2 Goford Semiconductor Array FET MOSFET

Produttore: Goford Semiconductor
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: N and P-Channel
Caratteristica FET: Standard
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Potenza - Max: 2W (Tc), 2.5W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-SOP
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base: G06N