DMN66D0LDWQ-13 Diodes Incorporated Array FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 217mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 29.3pF @ 25V
Potenza - Max: 400mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Grado: Automotive
Qualificazione: AEC-Q101
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363
Numero di prodotto di base: DMN66