SI6913DQ-T1-BE3 Vishay Siliconix Array FET MOSFET

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: -
Potenza - Max: 830mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-TSSOP (0.173\ 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Numero di prodotto di base: SI6913