SQJB60EP-T1_BE3 Vishay Siliconix Array FET MOSFET

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1600pF @ 25V
Potenza - Max: 48W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grado: Automotive
Qualificazione: AEC-Q101
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Numero di prodotto di base: SQJB60