PJQ4602_R1_00001 Panjit International Inc. Array FET MOSFET

Produttore: Panjit International Inc.
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Not For New Designs
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 6.4A (Ta), 18.5A (Tc), 6.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V, 31mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 343pF @ 15V, 870pF @ 15V
Potenza - Max: 2W (Ta), 17.8W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: DFN3030B-8
Numero di prodotto di base: PJQ4602