PJQ1821_R1_00001 Panjit International Inc. Array FET MOSFET

Produttore: Panjit International Inc.
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Not For New Designs
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 51pF @ 10V
Potenza - Max: 400mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-UFDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010-6L
Numero di prodotto di base: PJQ1821