PJQ4606_R1_00001 Panjit International Inc. Array FET MOSFET

Produttore: Panjit International Inc.
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Not For New Designs
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 7.6A (Ta), 23A (Tc), 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Potenza - Max: 2W (Ta), 18W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: DFN3030B-8
Numero di prodotto di base: PJQ4606