IPG20N04S4L18AATMA1 Infineon Technologies Array FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??T2
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1071pF @ 25V
Potenza - Max: 26W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grado: Automotive
Qualificazione: AEC-Q101
Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank
Confezione / Custodia: 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10
Numero di prodotto di base: IPG20N