SSM6N813R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Array FET MOSFET

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 242pF @ 15V
Potenza - Max: 1.5W (Ta)
Temperatura di esercizio: 175°C
Grado: Automotive
Qualificazione: AEC-Q101
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP-F
Numero di prodotto di base: SSM6N813