TSM200N03DPQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation Array FET MOSFET

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 345pF @ 25V
Potenza - Max: 20W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (3x3)
Numero di prodotto di base: TSM200