SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Array FET MOSFET

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: N and P-Channel
Caratteristica FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 268pF @ 10V
Potenza - Max: 500mW
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore: UF6
Numero di prodotto di base: SSM6L39