SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Array FET MOSFET

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIII
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 245pF @ 10V
Potenza - Max: 500mW (Ta)
Temperatura di esercizio: 150°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore: UF6
Numero di prodotto di base: SSM6N24