SSM6N357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage Array FET MOSFET

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 60pF @ 12V
Potenza - Max: 1.5W (Ta)
Temperatura di esercizio: 150°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP-F
Numero di prodotto di base: SSM6N357