SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Array FET MOSFET

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 36pF @ 10V
Potenza - Max: 285mW (Ta)
Temperatura di esercizio: 150°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore: US6
Numero di prodotto di base: SSM6N35