SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Array FET MOSFET

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Not For New Designs
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: N and P-Channel
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 20pF @ 5V
Potenza - Max: 300mW
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore: US6
Numero di prodotto di base: SSM6L09