SSM6N61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Array FET MOSFET

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 410pF @ 10V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFNB (2x2)
Numero di prodotto di base: SSM6N61