SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage Array FET MOSFET

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: N and P-Channel
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 500mA, 330mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 46pF @ 10V
Potenza - Max: 150mW
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore: ES6
Numero di prodotto di base: SSM6L36