NTJD1155LT2G onsemi Array FET MOSFET
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Produttore: onsemi
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: N and P-Channel
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: -
Potenza - Max: 400mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363
Numero di prodotto di base: NTJD1155
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: N and P-Channel
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: -
Potenza - Max: 400mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363
Numero di prodotto di base: NTJD1155
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