FDMS3660S onsemi Array FET MOSFET

Produttore: onsemi
Serie: PowerTrench®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 30A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Potenza - Max: 1W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: Power56
Numero di prodotto di base: FDMS3660