NX1029XH Nexperia USA Inc. Array FET MOSFET

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Not For New Designs
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 330mA (Ta), 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.35nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 50pF @ 10V, 36pF @ 25V
Potenza - Max: 330mW (Ta), 1.09W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Grado: Automotive
Qualificazione: AEC-Q101
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Numero di prodotto di base: NX1029