PMDPB80XP,115 Nexperia USA Inc. Array FET MOSFET

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 550pF @ 10V
Potenza - Max: 485mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON (2x2)
Numero di prodotto di base: PMDPB80