SH8M2TB1 Rohm Semiconductor Array FET MOSFET

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Not For New Designs
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: N and P-Channel
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 140pF @ 10V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Numero di prodotto di base: SH8M2