HAT2218R-EL-E Renesas Electronics Corporation Array FET MOSFET

Produttore: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Obsolete
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 7.5A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 630pF @ 10V
Potenza - Max: 1.5W
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Numero di prodotto di base: HAT2218