FDM2509NZ Fairchild Semiconductor Array FET MOSFET

Produttore: Fairchild Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Obsolete
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 8.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Potenza - Max: 800mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: MicroFET 2x2 Thin
Numero di prodotto di base: FDM2509