AUIRFN8458TR Infineon Technologies Array FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Last Time Buy
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1060pF @ 25V
Potenza - Max: 34W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6)
Numero di prodotto di base: AUIRFN8458