EPC2100ENGRT EPC Array FET MOSFET

Produttore: EPC
Serie: eGaN®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride)
Configurazione: 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Potenza - Max: -
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: Die
Pacchetto dispositivo fornitore: Die
Numero di prodotto di base: EPC210