DMHC10H170SFJ-13 Diodes Incorporated Array FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.9A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1167pF @ 25V
Potenza - Max: 2.1W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 12-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN5045-12
Numero di prodotto di base: DMHC10