DMN2016LHAB-7 Diodes Incorporated Array FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Potenza - Max: 1.2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2030-6 (Type B)
Numero di prodotto di base: DMN2016