DMT3011LDT-7 Diodes Incorporated Array FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 8A, 10.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 641pF @ 15V
Potenza - Max: 1.9W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN3030-8 (Type K)
Numero di prodotto di base: DMT3011