DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated Array FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 8.58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Potenza - Max: 880mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-TSSOP (0.173\ 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP
Numero di prodotto di base: DMN2016