ZXMC3A16DN8TA Diodes Incorporated Array FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: N and P-Channel
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 4.9A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 796pF @ 25V
Potenza - Max: 1.25W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Numero di prodotto di base: ZXMC3