DMC1030UFDBQ-13 Diodes Incorporated Array FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1003pF @ 6V
Potenza - Max: 1.36W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Grado: Automotive
Qualificazione: AEC-Q101
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)
Numero di prodotto di base: DMC1030