DMN53D0LDW-13 Diodes Incorporated Array FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: Logic Level Gate
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 360mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 46pF @ 25V
Potenza - Max: 310mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363
Numero di prodotto di base: DMN53