DMN3022LFG-13 Diodes Incorporated Array FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V
Potenza - Max: 1.96W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerLDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 (Type D)
Numero di prodotto di base: DMN3022